Material de acoperire PVD
-
![Țintă de pulverizare 4N ZrO2 cu placă din spate Cu]()
Țintă de pulverizare 4N ZrO2 cu placă din spate CuȚintele noastre de pulverizare cu dioxid de zirconiu cu plăci de suport sunt fabricate folosind material de dioxid de zirconiu de{0}}puritate ridicată, lipit în siguranță de o placă de suport...Mai mult -
![Țintă de pulverizare ZrC cu placă din spate Cu]()
Țintă de pulverizare ZrC cu placă din spate CuȚintele noastre de pulverizare cu carbură de zirconiu (ZrC) cu plăci de suport de cupru prezintă o legătură solidă între materialul țintă de -puritate ridicată ZrC și suportul de cupru. This...Mai mult -
![Ta 5at% Țintă de pulverizare cu ZrC dopată]()
Ta 5at% Țintă de pulverizare cu ZrC dopatăPrecise doping of Zirconium Carbide with a 5 atomic percent ratio of Tantalum significantly enhances the target material's high-temperature resistance, thermal shock resistance, and corrosion...Mai mult -
![4N IGZO Sputtering Target]()
4N IGZO Sputtering TargetOur 4N IGZO sputtering targets deliver more stable and efficient sputtering performance. Specialized for high-end display and semiconductor applications, they facilitate the realization of...Mai mult -
![Țintă 4N HfO2 cu placă din spate Cu]()
Țintă 4N HfO2 cu placă din spate CuȚinta de pulverizare 4N HfO₂ cu suport de cupru utilizează material de oxid de hafniu cu o puritate de 99,99%. Integrat cu un suport de cupru, oferă o conductivitate termică excelentă și este...Mai mult -
![4N HfO2 dopat cu țintă de 2% Ti]()
4N HfO2 dopat cu țintă de 2% TiȚinta de pulverizare cu HfO₂ dopată cu 2% Ti-este fabricată folosind un substrat de oxid de hafniu de-puritate ridicată, dopat precis cu 2% titan. Caracterizat prin uniformitatea sa compozițională...Mai mult -
![Țintă de pulverizare 4N HfO2]()
Țintă de pulverizare 4N HfO2Țintă de pulverizare cu dioxid de hafniu de înaltă-puritate 4N (puritate 99,99%) — potrivită pentru aplicații în acoperiri optice, semiconductori și electronice de precizie. Prezintă densitate...Mai mult -
![Țintă de pulverizare cu carbon 4N personalizabilă]()
Țintă de pulverizare cu carbon 4N personalizabilăȚintele noastre de-puritate ridicată pentru pulverizare cu carbon 4N sunt fabricate din material de carbon pur de 99,99%, având un nivel scăzut de impurități și le face ideale pentru aplicații în...Mai mult -
![Țintă de pulverizare B4C]()
Țintă de pulverizare B4CFolosind materii prime cu carbură de bor de{0}}puritate ridicată, acest produs are o duritate excepțională și o stabilitate termică robustă, ceea ce îl face ideal pentru aplicații în fabricarea...Mai mult -
![Ținte personalizate de pulverizare cu bor]()
Ținte personalizate de pulverizare cu borOferim ținte de bor dens și de înaltă puritate, potrivite perfect pentru procesele de semiconductor și de acoperire. Susținem fabricarea personalizată pe baza desenelor tehnice, controlând strict...Mai mult -
![Țintă rotundă de tungsten 3N5 personalizată]()
Țintă rotundă de tungsten 3N5 personalizatăOferim ținte circulare de tungsten personalizate-cu puritate 3N5 (99,95%). Fabricate folosind metalurgia pulberilor, acestea au o microstructură uniformă, densitate ridicată și sunt lipsite de...Mai mult -
![Țintă personalizată de pulverizare HF de înaltă puritate]()
Țintă personalizată de pulverizare HF de înaltă puritateOferim ținte de pulverizare cu hafniu de înaltă puritate-personalizat-, cu o puritate care depășește 99,9%, cu densitate uniformă și microstructură fină. Proiectate special pentru cipuri...Mai mult
Suntem furnizori profesioniști de materiale de acoperire pvd din China, specializați în furnizarea de servicii personalizate de înaltă calitate. Vă așteptăm cu căldură să cumpărați material de acoperire pvd cu reducere în stoc aici și să obțineți o probă gratuită din fabrica noastră. Pentru consultanță de preț, contactați-ne.