Descrierea 4N HfO2 dopat cu țintă Ti 2%.
HfO2 dopat cu ținta 2% Ti este un precursor de material funcțional preparat prin tehnici precise de dopaj-la nivel atomic. La bază, acest material implică introducerea titanului într-o matrice de dioxid de hafniu la un raport molar de 2%, formând o soluție solidă în care ionii Ti⁴⁺ înlocuiesc parțial ionii Hf⁴⁺ în rețeaua cristalină HfO₂. Acest proces de dopaj nu este doar un simplu amestec fizic; mai degrabă, este conceput pentru a modula în mod activ microstructura și proprietățile electronice ale materialului, dotându-l astfel cu funcționalități specifice care le depășesc pe cele ale HfO₂ pur. Forma fizică a țintei pulverizate servește drept vehicul esențial pentru aplicarea sa în tehnologiile avansate de fabricare a peliculei subțiri-. Astfel de ținte trebuie să adere la standarde riguroase pentru puritate ridicată (de obicei 99,99% sau mai mare), densitate mare și uniformitate compozițională. Puritatea ridicată este esențială pentru a preveni ca impuritățile necontrolate să compromită performanța peliculei subțiri rezultate; dimpotrivă, densitatea ridicată și uniformitatea asigură stabilitatea atât a compoziției filmului, cât și a vitezei de depunere a acestuia în timpul procesului de pulverizare, permițând astfel peliculei subțiri să „moștenească” cu precizie caracteristicile proiectate ale materialului țintă.
Aplicații de 4N HfO2 dopat cu țintă Ti 2%.
Memorie avansată de semiconductor: în special în domeniul memoriei cu acces-aleatoriu feroelectric (FeRAM). Dopajul cu titan ajută la stabilizarea fazei ortorombice feroelectrice a HfO₂, dotând-o cu caracteristici excelente de comutare feroelectrică care îndeplinesc cerințele pentru dispozitivele de memorie cu densitate mare, densitate și putere redusă.
Înaltă-Dielectric-Constantă (Ridica{-κ) Dielectrice de poartă: în circuitele integrate, servește ca strat dielectric pentru porțile tranzistoarelor; valorificând constanta sa dielectrică ridicată, reduce eficient grosimea fizică, menținând în același timp performanța și fiabilitatea izolației excelente.
Acoperiri funcționale și pelicule subțiri optice: valorificând indicele de refracție ridicat, stabilitatea chimică excelentă și proprietățile optice-care pot fi reglate prin dopaj-este utilizat în acoperiri optice specializate sau straturi de protecție.
Specificații pentru 4N HfO2 dopat cu țintă Ti 2%.
Dimensiune: 50,8 mm dia. *3 mm tk
Tip de lipire: In
Placa din spate: Cu
Dimensiunea plăcii din spate: 50,8 mm dia * 3 mm tk
Controlul calității și testarea 4N HfO2 dopat cu țintă de 2% Ti
Întrebări frecvente pentru 4N HfO2 dopat cu țintă de 2% Ti
esti un fabrica sau aproducător?
R: Da, suntem o fabrică 4N HfO2 dopată cu 2% Ti, dar în general folosim compania noastră comercială pentru a gestiona afacerile în străinătate. Va fi mai convenabil să primiți remiterea și să aranjați expedierea.
Care este metoda de livrare?
R: În general, trimitem 4N HfO2 dopat cu țintă 2% Ti de către UPS, DHL sau FedEx. De asemenea, putem trimite pe mare într-un port maritim sau cu avionul la cel mai apropiat aeroport.
De ce este 4N HfO2 dopat cu țintă Ti 2% atât de rentabil-?
R: Eliminam intermediarii la final-pentru-procesul de fabricație și obținem materie primă direct din sursa acesteia.
Faceți inspecție de calitate la fața loculuiproduse?
R: Inspecție completă 100% cu siguranță. Toate țintele 4N HfO2 necalificate dopate cu 2% Ti sunt aruncate.
Cum vă asigurați timpul de livrare?
R: De la pregătirea materialului până la prelucrare și în final până la o inspecție completă. Fiecare etapă a producției este strict monitorizată și controlată pentru a vă oferi un timp de livrare precis.
Care este MOQ-ul de 4N HfO2 dopat cu țintă de 2% Ti?
R: Depinde de cantitatea de 4N HfO2 dopat cu țintă Ti 2%; în general, fără limită MOQ.
Cum să plăteștiprodusele?
R: Un transfer bancar (T/T) va fi acceptabil.
Care este timpul de livrare?
R: Aproximativ 7-20 de zile, care depinde de cantitatea și producția de 4N HfO2 dopat cu țintă Ti 2%.
Ce fel de pachet este?
R: În general, folosim o carcasă de carton sau placaj cu material de protecție în interior pentru a asigura siguranța 4N HfO2 dopat cu țintă Ti 2%.
Care este timpul de livrare?
R: De la comanda plasată până la primirea mărfii va dura aproximativ 10-25 de zile.
Tag-uri populare: 4n hfo2 dopat cu țintă 2% ti, China 4n hfo2 dopat cu 2% ti furnizori țintă, fabrică
